适用于Ultratech Titan低 NA正胶MEGAPOSIT S9912NX
S9912NX 是低 NA 光刻机专用超大焦深光刻胶，支持无 PEB 简化工艺，焦深最高≥5μm，专为大台阶差晶圆、成熟制程、功率器件及 MEMS 量产设计。
核心应用场景
1、低 NA 光刻机量产光刻（最核心）
专为 0.32NA 低数值孔径 曝光机设计（如 Ultratech Titan） 许总：15220133370
普通光刻胶对焦不好，这款焦深 ≥5μm，轻松胜任
老旧机型 / 低成本机台首选胶
2、超大焦深需求的晶圆光刻
晶圆表面台阶高、凹凸差大
深沟槽、阶梯结构、多层薄膜拓扑
普通胶会失焦，S9912NX 完全不挑平坦度
3、无 PEB 简化工艺量产
不想做曝光后烘烤、想缩短流程、提升产能
无 PEB 也能稳定做 0.8μm～2μm 图形
工艺简单、缺陷少、良率高
4、大尺寸图形：线条 / 沟槽 / 接触孔
0.7μm～2.0μm 线宽 / 间距
0.9μm～1.5μm 接触孔 / 通孔阵列
图形保真度高、孔型圆、侧壁直
5、功率器件 / 分立器件 / 高压器件
MOSFET、二极管、整流器、终端结构
大尺寸、大台阶、厚膜区域光刻
耐热好、耐蚀刻、批间一致性高
6、MEMS、传感器、微机械结构
高深宽比沟槽、电极、引线、腔体
表面形貌复杂、台阶差大
超大焦深保证整晶圆均匀
7、成熟制程 0.8μm/1.0μm/1.5μm 标准量产
老厂、老设备、成熟工艺平台
一支胶搞定线条 + 孔 + 沟槽
性价比高、良率稳定
8、高校 / 研究所低 NA 设备通用光刻
老式光刻机 NA 偏低、对焦难
工艺简单、容错极高、新手友好
浸置显影，无需复杂机型
一、产品基础信息
型号：MEGAPOSIT? S9912NX
适配设备：Ultratech Titan 0.32NA低 NA 光刻机
显影液：MICROPOSIT? MF?-319（60s 浸置）
膜厚：1.29μm
工艺：支持有 PEB / 无 PEB两种模式
二、标准工艺条件
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项目 参数
软烘 95℃ / 60s 接触热板
PEB（可选） 115℃ / 60s 接触热板
曝光 0.32NA
显影 MF-319 / 21℃ / 60s 浸置
三、光刻性能（核心数据）
（1）基础灵敏度
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工艺 E0（mJ/cm2）
有 PEB 72
无 PEB 84
（2）线宽 / 间距（L/S）性能
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图形 工艺 最佳能量 分辨率 焦深 曝光宽容度
1.5μm L/S 有 PEB ~179 0.75μm ≥5.0μm ~24%
1.5μm L/S 无 PEB 160 0.80μm ≥5.0μm 26%
1.0μm L/S 有 PEB 162 0.75μm 4.0μm 12%
1.0μm L/S 无 PEB 153 0.80μm 4.0μm 15%
（3）接触孔（CH）性能
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图形 工艺 最佳能量 分辨率 焦深 曝光宽容度
1.5μm CH 有 / 无 PEB 184 1.0μm ≥4.5–4.75μm 14%–16%
四、核心特性
双工艺兼容：可选择无 PEB简化流程，或有 PEB提升分辨率
超大焦深：线宽焦深 ≥5.0μm，接触孔焦深 ≥4.5μm，适配大台阶差晶圆
宽图形范围：稳定加工0.7μm–2.0μm线宽与0.9μm–1.5μm接触孔
低 NA 专用：专为0.32NA低数值孔径光刻机优化
4. 关键问题
问题：S9912NX 最突出的性能特点是什么，主要适配什么样的光刻机？
答案：最突出特点是 ≥4.0–5.0μm 超大焦深与无 PEB / 有 PEB 双工艺 ；专为0.32NA 低 NA的 Ultratech Titan 光刻机设计。
问题：该胶在有 PEB 和无 PEB 条件下，线宽分辨率分别能达到多少？
答案：有 PEB 时线宽分辨率0.75μm；无 PEB 时线宽分辨率0.80μm。
问题：S9912NX 在 1.5μm 线宽条件下的焦深与曝光宽容度分别是多少，体现了什么优势？
答案：焦深 ≥5.0μm，曝光宽容度24%–26%；体现极强聚焦容错与剂量容错，大幅提升复杂拓扑与低 NA 机台的良率。
