罗门哈斯有机热交联型 DUV 底部抗反射涂层AR 10L
AR?10L 是罗门哈斯专为 248nm KrF 光刻开发的通用型有机热交联底部抗反射涂层，兼容高低温光刻胶平台与复杂拓扑结构，广泛用于逻辑 / 存储芯片、功率器件、MEMS 及高反射基底光刻，实现极致 CD 控制与高工艺稳定性。
核心应用场景
1、248nm DUV 深紫外光刻（KrF）底层抗反射
专为248nm 光刻系统设计，消除驻波、抑制反射、稳定 CD 许总：15220133370
适配150–250nm关键尺寸制程，线宽 / 接触孔均可
2、高低温光刻胶平台通用抗反射
完美兼容高温、低温两类光刻胶体系
对ESCAP、HYBRID、Acetal等主流 248nm 胶兼容性极佳
工厂统一 BARC 材料，简化管理、降低换型成本
3、高反射基底 + 透明薄膜堆栈光刻
硅、多晶硅、SiO?、Si?N?、TiN、Al等高反射表面
透明介质膜上光刻，反射抑制效果稳定
适用膜厚400–1200?，硅基底推荐600?
4、复杂拓扑 / 台阶结构光刻
高深宽比沟槽、台阶、多层堆栈结构
高保形涂覆，覆盖均匀、无缩腰、无底切
全片 CD 均匀性优异
5、逻辑 / 模拟 / 混合信号 IC 关键层光刻
栅极、源漏、接触孔、金属互连、MIM 电容
宽工艺窗口、良率高、稳定性强
6、存储芯片（Flash/EEPROM/SRAM）光刻
阵列区、位线 / 字线、埋孔、接触孔精细图形
抑制反射干扰，提升阵列一致性
7、功率器件 & 化合物半导体光刻
GaAs、GaN、SiC 等器件光刻与图形转移
化学阻隔性好、不污染、不与基底反应
8、MEMS 微结构器件光刻
悬臂、沟槽、腔体、高深宽比结构制备
低温固化友好，不损伤敏感微结构
9、中后段金属 / 介质层图形化
金属布线开孔、介质层开窗、钝化层图形
抗反射 + 化学阻隔双重作用
关键工艺价值
通用型 BARC：一套材料覆盖高低温胶、多工艺节点
248nm 高光学密度：≈9 abs/μm，反射抑制极强
快速蚀刻：比 DUV 光刻胶快30–40%，图形转移效率高
热交联稳定：不互溶、不污染光刻胶
兼容广：适配 Si、SiO?、Si?N?、TiN、Al 等全系列基底
一、产品概述
AR?10L 是有机热交联型 DUV 底部抗反射涂层，专用于 248nm（KrF） 光刻系统，适配高低温光刻胶平台，对 ESCAP、HYBRID、Acetal 类光刻胶兼容性优异，是通用型整合 BARC 产品。
二、核心光学参数
表格
参数 数值
248nm 折射率 (n) 1.45
248nm 消光系数 (k) 0.45
光学密度 9 abs/μm
第一最小膜厚 600?（高反射介质）
三、工艺参数
膜厚范围
通用：400–1200?
硅基底标准：600?
固化条件
ESCAP 光刻胶：150℃ / 60 秒
Acetal 光刻胶：160℃ / 60 秒
设备：近接式热板
兼容溶剂
乳酸乙酯、PGME、PGMEA、3 - 戊酮、环己酮、γ- 丁内酯等
设备切换清洗
从 BARL/CD-11 切换：环己酮 /γ- 丁内酯清洗
从 AR2/AR3 等切换：PGMEA/PGME/ 乳酸乙酯清洗
四、核心优势
广谱光刻胶兼容性：适配高低温、ESCAP、Acetal 等主流胶
高保形涂覆：台阶覆盖能力优异
快速蚀刻：比 DUV 光刻胶快30–40%
多稀释度版本：覆盖不同应用需求
高光学密度：248nm 抗反射效果突出
五、兼容基底与禁忌
兼容基底：Si、SiO?、多晶硅、Si?N?、TiN、Al
禁止使用：HMDS 等增粘剂
六、光刻适用能力
支持150–200nm线宽、孤立线条、密集线条、接触孔等关键图形，匹配罗门哈斯全系列 248nm 光刻胶。
4. 关键问题
问题：AR10L 的工作波长、核心光学常数（n/k）及光学密度分别是多少？
答案：工作波长为248nm（KrF）；n=1.45，k=0.45；光学密度约9 abs/μm。
问题：AR10L 针对不同光刻胶的固化温度有何区别，膜厚适用范围是多少？
答案：ESCAP 胶为150℃/60s，Acetal 胶为160℃/60s；膜厚范围400–1200?，硅基底推荐600?。
问题：AR10L 的核心定位与最大工艺优势是什么，禁止使用什么助剂？
答案：定位是248nm 通用整合型 BARC；优势为广谱光刻胶兼容 + 快蚀刻 + 高保形；禁止使用HMDS 增粘剂。
