罗门哈斯化学增幅型正胶UV6

UV6? 是 180nm DUV 量产级光刻胶，分辨率＜200nm，PEB 稳定性极强、焦深大、耐刻蚀优异，广泛用于 180nm 逻辑 / 存储芯片、接触孔、高反射基底及自动化产线。

核心应用场景

1、180nm DUV 成熟制程量产（最核心）

专为 180nm 工艺节点 逻辑 / 存储芯片设计           许总：15220133370

支持 线宽 / 间距 + 接触孔 全图形

工艺窗口宽、良率高、量产最稳定

2、200nm 及以下高精度线条 / 间距光刻

前道栅极、字线、位线、有源区

分辨率 ＜200nm，侧壁垂直、轮廓好

焦深高达 1.0μm，台阶差友好

3、200nm～250nm 接触孔 / 通孔阵列光刻

高密度接触孔、埋孔、通孔

孔型圆、不桥连、均匀性好

焦深 0.8μm，良率稳定

4、高反射基底 & 抗反射层兼容光刻

多晶硅、金属、SiN、高反射表面

搭配 AR2、BARL900 等抗反射层

PEB 敏感度极低 ＜5nm/℃，CD 极稳

5、长曝光后延迟（PED）稳定需求场景

自动化 Track 产线、大批次生产

非洁净环境下 稳定＞1 小时

不易受环境干扰，缺陷率低

6、需要高耐刻蚀的关键层

栅极刻蚀、金属刻蚀、介质刻蚀

耐氯系等离子刻蚀表现优异

图形保真度高、不形变

7、180nm DRAM / Flash / 逻辑芯片

阵列区、外围电路、多层金属

一支胶覆盖前道 + 后道关键层

工厂标准化主力 DUV 胶

8、MEMS、光电器件、中试线 DUV 光刻

高精度微结构、电极、光波导

工艺宽容度高、容易调机

科研与小批量量产首选

一、产品概述

UV6? 是 ROHM AND HAAS 推出的 DUV 正性化学增幅光刻胶，专为 180nm 设计规则 的器件制造优化，聚焦 密集 / 半孤立图形 的垂直轮廓成像，兼容有机 / 无机抗反射层与各类基底。

二、核心性能亮点

分辨率：线 / 空间与接触孔均 ＜200nm

PEB 稳定性：CD 漂移 ＜5nm/℃，工艺容错极强

焦深（DOF）：200nm 线宽 1.00μm；250nm 接触孔 0.80μm

曝光能量：线宽 18–28mJ/cm2；接触孔 25–40mJ/cm2

热稳定性：150℃ 不形变

曝光后延迟（PED）：非洁净环境仍稳定 ＞1 小时

保质期：＞6 个月

三、标准工艺条件

表格

工艺项 接触孔 线 / 空间

膜厚 6800–9125? 6800–9125?

软烘 130℃/60s 130℃/60s

PEB 140℃/90s 130℃(非反射)/140℃(反射)

显影 LDD-26W(0.26N) 21℃ 45s LDD-26W(0.26N) 21℃ 45s

四、基底与配套材料

基底：硅、有机 / 无机抗反射层（AR2、BARL900）

增粘：HMDS 120℃/30s 真空气相处理

显影液：0.26N TMAH（LDD-26W、MF-926HS 等）

去胶：MICROPOSIT Remover 1165（双槽 80℃）

五、光学与物理参数

表格

参数 数值

Cauchy n1 1.5612

Dill A 0.13053

Dill B 0.6016

248nm 折射率 1.70

最大显影速率 3841 ?/sec

六、安全与存储

存储：-1–10℃，密封、避光、远离酸碱氧化剂

安全：易燃液体，需防护眼镜 / 皮肤 / 呼吸道

4. 关键问题

问题：UV6 最核心的工艺优势是什么，对量产有何价值？

答案：核心优势是 PEB 温度敏感度极低（＜5nm/℃），可大幅降低 CD 漂移，提升 良率与批次稳定性，尤其适合高反射基底的大规模量产。

问题：UV6 在 200nm 线宽与 250nm 接触孔下的焦深分别是多少？

答案：200nm 线 / 空间焦深 1.00μm；250nm 接触孔焦深 0.80μm，具备极强的聚焦容错与台阶覆盖能力。

问题：UV6 适用的制程节点、最佳显影液与去胶方案是什么？

答案：面向 180nm DUV 制程；推荐 0.26N LDD-26W 显影 45s；去胶使用 Remover 1165 双槽 80℃ 工艺。