罗门哈斯第二代底部抗反射涂层AR40 AR41
AR40 / AR41 是罗门哈斯专为 193nm ArF 光刻开发的第二代底部抗反射涂层，主打快速蚀刻、微小通孔无空洞填充、低图形坍塌，广泛用于 65nm–45nm 逻辑 / 存储芯片、通孔与高深宽比结构光刻。
核心应用场景
1、193nm ArF 干法 / 浸没光刻底层抗反射 许总：15220133370
专为193nm光刻设计，第二代2nd min. ARC
适用65nm–45nm逻辑、存储、射频先进制程
强效抑制驻波、Notching、底切，CD 均匀性极高
2、微小通孔（Via）无空洞填充光刻
可无空洞填充＜160nm细小孔径、深沟槽
完美覆盖逻辑 / 存储中后段接触孔、埋孔、通孔
台阶覆盖优异，不缩孔、不悬空、保形性一流
3、快速蚀刻（Fast Etch）制程配套
蚀刻选择比~1.6:1，速度快、图形转移干净
适配TEL Unity II DRM 85等高产能蚀刻机
大幅提升产线 throughput，降低制程成本
4、高图形稳定性、低坍塌风险光刻
新型聚合物平台，最小化图形坍塌
界面轮廓陡峭、无脚切、无缩腰
适配Methacrylate / Hybrid两类主流 ArF 光刻胶
5、逻辑芯片关键层光刻
栅极、金属互连、接触孔、钝化层、MIM 电容
高反射基底（Si、SiO?、SiN、TiN）全兼容
6、存储芯片（DRAM / Flash）阵列与通孔光刻
阵列区、位线 / 字线、电容孔、深埋孔
反射抑制极强，阵列一致性与良率大幅提升
193nm 光刻胶通用型 BARC
AR40：主打Methacrylate光刻胶
AR41：主打Hybrid光刻胶
一片材料覆盖多平台，工厂简化物料管理
关键工艺价值
第二代 2nd min. 结构：80nm即可达最佳抗反射
快速蚀刻：选择比～1.6:1，图形转移干净高效
无空洞填充：轻松覆盖 <160nm 微小通孔
低图形坍塌：高深宽比结构稳定性强
无 PFOS 表面活性剂：环保、先进制程友好
界面轮廓优异：陡峭侧壁、CD 控制稳定
一、产品基础信息
产品型号：AR40 / AR41
产品类型：第二代底部抗反射涂层（2nd min. ARC）
适用光刻：193nm ArF
核心定位：快速蚀刻速率专用抗反射涂层
厂商：罗门哈斯（Rohm Haas）
二、核心性能参数
表格
参数项 数值
第二最小厚度 ~80 nm
蚀刻选择比 ~1.6:1
193nm 折射率 n 1.80
193nm 消光系数 k 0.5
可填充通孔尺寸 ＜160 nm
表面活性剂 PFOS free（无 PFOS）
三、材料体系与优势
新型聚合物平台：适配先进 193nm 光刻与蚀刻工艺
低图形坍塌：大幅降低图形倒塌风险
优异界面轮廓：与多种光刻胶兼容，图形质量稳定
无空洞填充：可完美填充＜160nm 微小通孔
无 PFOS：符合环保与先进制程要求
快速蚀刻：适配高产能蚀刻产线
四、光刻胶适配性
表格
型号 Methacrylate（甲基丙烯酸酯） Hybrid（混合型）
AR40 支持 部分支持
AR41 部分支持 支持
五、兼容工艺设备
蚀刻设备：TEL Unity II DRM 85 蚀刻机
蚀刻气体：C?F? / O? / CO / Ar
蚀刻条件：1500W / 40mT
六、光学与堆栈特性
基底：Si、天然氧化层（2nm/4nm）
抗反射层：AR40，厚度 0~160nm
光刻胶：V41（250nm）、EPIC 2210、EPIC V40
反射率：在80nm厚度附近达到最低反射
4. 关键问题
问题：AR40/AR41 的适用光刻波长、第二最小厚度与蚀刻选择比分别是多少？
答案：适用193nm ArF光刻；第二最小厚度~80nm；蚀刻选择比~1.6:1。
问题：AR40 与 AR41 在光刻胶适配性上有何区别？
答案：AR40优先适配Methacrylate型光刻胶，部分支持 Hybrid；AR41优先适配Hybrid型光刻胶，部分支持 Methacrylate。
问题：AR40/AR41 的核心工艺优势与可填充的最小通孔尺寸是多少？
答案：核心优势为新型聚合物平台、快速蚀刻、无空洞填充、无 PFOS、低图形坍塌；可无空洞填充 ＜160nm 的微小通孔。
