罗门哈斯DUV正胶UV5
UV5? 是罗门哈斯 248nm DUV 量产型正性光刻胶，专为 150nm 节点孤立 / 半密集线条与接触孔设计，具备超高 PED 稳定性、低 PEB 敏感度与优异金属蚀刻抗性，广泛用于逻辑 / 存储芯片、MEMS、功率器件及高反射基底的关键层光刻。
核心应用场景
1、248nm DUV 量产光刻（最核心） 许总：15220133370
专为 150nm 工艺节点 器件制造
孤立线、半密集线、接触孔、通孔图形化
垂直轮廓好、良率高、适合大批量生产
2、逻辑芯片 / 混合信号 IC 关键层光刻
栅极、源漏、接触孔、金属第一层
对 CD 均匀性要求高的关键尺寸层
宽工艺窗口，适配复杂版图
3、存储芯片（Flash/EEPROM/SRAM）阵列光刻
存储单元阵列、字线 / 位线、接触孔
高一致性、低缺陷、抗反射匹配好
4、高反射基底光刻
硅、多晶硅、SiN、SiON、金属（Al/Cu）
搭配 AR2、BARL 等 BARC 抑制驻波
台阶、沟槽、高低差拓扑上仍稳定
5、金属层与介质层图形转移
金属布线、硬掩膜、通孔开孔
金属蚀刻抗性优异，等同 I-line 光刻胶
氯系蚀刻工艺兼容
6、MEMS 与功率器件光刻
结构图形、电极开孔、表面图形化
耐热 150℃，可适应后烘高温
PED 稳定＞2 小时，产线友好
7、研发 / MPW / 中试线通用 DUV 光刻
工艺稳定、易调试、显影简单（2.38% TMAH）
对 PEB 温度不敏感（3 nm/℃），重复性好
一、产品概述
UV5?是罗门哈斯开发的248nm DUV 正性化学放大光刻胶，面向150nm 设计规则器件量产，主打孤立 / 半密集线条与接触孔的垂直轮廓成像，匹配 AR2?底部抗反射层使用，金属蚀刻抗性优异。
二、核心光刻性能
表格
性能项 参数
曝光能量 10.0–20.0 mJ/cm2
分辨率 孤立 / 半密集线：＜150 nm
焦深（DOF） 180nm 半密集线：1.2 μm
PEB 灵敏度 ≤3 nm/℃
曝光后延迟（PED） ＞2 小时
热稳定性 150℃
CD 均匀性 250nm 图形：＜20 nm
三、标准工艺条件
表格
工艺步骤 反射基底 非反射基底
膜厚 6000–10000 ? 6000–10000 ?
软烘 130℃ / 60s 135℃ / 60s
PEB 135℃ / 90s 130℃ / 90s
显影 2.38% TMAH / 45s 2.38% TMAH / 45s
四、光学与蚀刻特性
光学常数
248nm 折射率：1.71
633nm 折射率：1.57
蚀刻性能
金属蚀刻抗性等同传统 I-line 胶
适配氯气体系金属蚀刻工艺
去除方式
专用去胶液：Microposit Remover 1165
工艺：80℃双槽浸泡去除
五、兼容范围
基底：Si、Si?N?、SiON、有机 / 无机 BARC
增粘处理：推荐HMDS真空预处理（120℃/30s）
显影液：0.26N（2.38%）TMAH体系（LDD-26W 等）
六、核心优势
极低 PEB 温度敏感性，CD 控制稳定
超长曝光后延迟稳定性，产线适配性强
优异金属蚀刻抗性，图形转移可靠
垂直侧壁轮廓，良率表现突出
4. 关键问题
问题：UV5 光刻胶的适用波长、目标节点及核心曝光能量范围是多少？
答案：适用248nm DUV波长，目标节点150nm，曝光能量10.0–20.0 mJ/cm2。
问题：UV5 在反射基底与非反射基底上的软烘和 PEB 条件有何差异？
答案：反射基底：软烘130℃/60s、PEB135℃/90s；非反射基底：软烘135℃/60s、PEB130℃/90s。
问题：UV5 的 PEB 灵敏度、PED 稳定性及耐热温度分别是多少，这些参数带来什么工艺价值？
答案：PEB 灵敏度 ≤3nm/℃、PED 稳定性＞2 小时 、耐热150℃；可大幅降低工艺波动影响，提升产线容错率与量产稳定性。
