0.237N标准浓度高纯显影液MICROPOSIT MF-319 

MF-319 是半导体级高纯无金属离子显影液（0.237N），专为高精度光刻设计，无残胶、低污染、宽工艺窗口，广泛用于成熟制程、MEMS、功率器件及自动化产线显影。

核心应用场景

1、高精度半导体 i-line/G-line 光刻显影（最核心） 许总：15220133370

专门搭配 S1400、S1800、SPR、S9912NX 等正胶

适用于 0.35μm～2μm 成熟制程量产

无金属污染、无残胶、边缘锐利

2、无金属污染要求的先进制程

对 Na? 等金属污染敏感 的器件

栅极、MOSFET、存储单元、敏感薄膜

钠含量 ≤ 0.5ppm，超高纯度

3、自动化 Track 机台 Spray/Puddle 显影

适合在线式 喷雾 / 静态 puddle 工艺

用量省、对喷嘴位置不敏感、重复性好

量产工厂标准显影液

4、小尺寸线条、接触孔、沟槽高精度显影

0.6μm～2μm 线宽 / 间隔

0.9μm～1.5μm 接触孔阵列

显影均匀、无残胶、无缩孔、不桥连

5、MEMS、传感器、微机械结构

厚胶、高深宽比结构显影

台阶高、凹凸差大的晶圆

显影干净、侧壁陡直

6、功率器件 / 高压器件 / 分立器件

大尺寸图形、厚膜光刻

耐湿法刻蚀前的高质量显影

良率高、可靠性好

7、科研 / 高校 / 中试线通用显影

浸置、喷雾都能使用

工艺宽容度高、操作简单

几乎适配所有正性光刻胶

一、产品定位

MF-319 是Shipley推出的无金属离子高纯显影液，专为高精度半导体器件制造开发，适配 S1400/S1800 系列光刻胶，可避免金属离子污染。

二、核心优势

无金属污染：钠含量≤0.5ppm，适合敏感制程

极低未曝光损耗：保留光刻胶轮廓，不咬边

边缘锐度优异：图形边界清晰、分辨率高

无残胶（scum）：显影干净、效率高

宽工艺窗口：曝光产能高、批间稳定

适配自动化 track：喷雾 /puddle 模式表现最佳

三、关键理化指标

表格

项目 典型值 / 范围

总碱浓度 0.232–0.242 N（标称为 0.237N）

比重（20℃） ~1.0

钠含量 ≤0.5 ppm

浊度 ≤2 NTU

过滤精度 0.2μm

四、标准使用工艺

使用方式

浸置：40–60 秒

喷雾 /puddle：依设备调整

温度控制

推荐：15–20℃（±1℃）

温度每升高 1℃，感光度下降2%–3%

冲洗

浸置：DI 水溢流冲洗

喷雾 /puddle：重叠式 DI 水冲洗防干燥

浴液管理

浸置：每班更换新液

密封避光保存

五、操作与存储

材质：PP、PE、316 不锈钢、PTFE

存储条件：10–32℃、干燥、避光、远离酸类

安全：强碱性，需护目镜、防化手套

4. 关键问题

问题：MF-319 的核心浓度与最大钠含量是多少，为何对半导体很重要？

答案：标准浓度0.237N（0.232–0.242N）；钠含量≤0.5ppm。低钠可避免金属离子污染，保障器件良率与可靠性。

问题：MF-319 支持哪些显影方式，浸置工艺的标准时间与温度是多少？

答案：支持浸置、批量喷雾、喷雾 /puddle；浸置时间40–60 秒，温度15–20℃。

问题：MF-319 相比普通显影液的核心优势体现在哪些光刻性能上？

答案：极低未曝光区损耗、极高边缘锐度、无残胶、高分辨率、宽工艺窗口，可实现更精细图形与更高良率。