罗门哈斯正胶SPR3600
SPR3600 是罗门哈斯超高产宽光谱光刻胶，支持 i-line/g-line，覆盖 1–4μm 膜厚，染料版适配高反射基底，工艺窗口极宽，广泛用于高效率量产、厚膜制程、功率器件及混合产线。
核心应用场景
1、超高产能 0.5μm / 0.6μm / 0.7μm 量产光刻（最核心） 许总：15220133370
专为高效率、大批量成熟制程设计
曝光能量极低（67–88 mJ/cm2），机台产能拉满
线条、接触孔、沟槽全能型
2、1–4μm 宽范围厚 / 中厚膜光刻
一支胶覆盖 1.0–4.0μm 所有膜厚需求
无需多支胶切换，工厂简化物料
均匀性好、台阶覆盖优秀
3、高反射基底专用（染料版最强）
多晶硅、TiN、金属、Al、Cu、SiN
L/M 染料版强力抑制驻波、缺口（notching）
CD 均匀、线条垂直、稳定性高
4、前后道 FEOL/BEOL 通用制程
前道：栅极、多晶硅、有源区、注入掩膜
后道：金属布线、接触孔、通孔、钝化开窗
耐热 130℃，耐湿法刻蚀
5、接触孔 / 阵列孔 / 通孔高精度光刻
0.45–0.8μm 高密度接触孔
焦深最高 2.4μm，孔型圆、不缩孔、不桥连
曝光宽容度最高 56%，良率极高
6、混合机型产线（i-line + g-line 通用）
一条产线同时跑 i-line /g-line 曝光机
一支胶通吃所有机台，不用换胶
最适合 “mix & match” 工厂
7、功率器件 / 高压器件 / 分立器件
MOSFET、IGBT、二极管、整流器
厚胶、大尺寸、高反射结构
耐热、耐刻、良率稳定
8、MEMS、传感器、微结构
电极、引线、深槽、腔体图形
厚膜、高深宽比、轮廓垂直
一、产品概述
SPR3600 Series 是罗门哈斯研发的宽光谱正性光刻胶，面向超高产能与优异光刻性能需求，支持g?line/i?line / 宽波段曝光，覆盖1–4μm膜厚范围，提供无染料 / 低染料 (L)/ 中染料 (M) 版本，是混合匹配产线与高反射基底的理想材料。
二、核心优势
超高产能：i?line 曝光能量低至67 mJ/cm2（0.8μm 线宽）、88 mJ/cm2（0.7μm 接触孔）
宽膜覆盖：单一胶系满足1.0–4.0μm全膜厚需求
高热稳定：耐热130℃，耐湿刻性能优异
宽工艺窗口：曝光宽容度最高56%，焦深最高2.40μm
反射基底适配：L/M 染料版有效抑制驻波与缺口
显影兼容：支持0.24N/0.26N双显影体系
三、标准工艺条件
表格
工艺项目 薄 / 中膜（~10000–16000?） 厚膜（>18000?）
软烘 90℃ / 90s 近接热板 90℃ / 90s 近接热板
PEB 110℃ / 90s 近接热板 110℃ / 90s 近接热板
显影 MF CD-26/26A，30–60s 单喷 MF CD-26/26A，60s 双喷
四、光刻核心性能
表格
图形类型 最佳能量 分辨率 焦深 曝光宽容度
0.7μm 密集线 57 mJ/cm2 0.350μm 1.80μm 39.8%
0.7μm 孤立线 76 mJ/cm2 0.325μm 1.80μm 43.4%
0.8μm 接触孔 100 mJ/cm2 0.450μm 2.40μm 56.0%
五、光学参数
表格
参数 数值
Cauchy N1 1.611
365nm 折射率 1.744
Dill A(365nm) 0.8100
Dill B(365nm) 0.0450
六、兼容范围
基底：硅、SiO?、多晶硅、SiN、高反射金属
增粘：推荐HMDS真空处理（120℃/30s）
图形：密集线 / 孤立线、接触孔、沟槽
4. 关键问题
问题：SPR3600 系列最核心的产能优势体现在哪里，对应的曝光能量是多少？
答案：核心优势是超高产能；i?line 下 0.8μm 线宽最佳能量67 mJ/cm2，0.7μm 接触孔88 mJ/cm2。
问题：SPR3600 提供哪几种染料版本，分别适配什么场景？
答案：提供无染料、低染料 L、中染料 M三种版本；染料版专为高反射基底设计，抑制驻波与 CD 偏差。
问题：SPR3600 在接触孔图形上的焦深与曝光宽容度分别是多少，代表什么工艺价值？
答案：0.8μm 接触孔焦深2.40μm、曝光宽容度56%；代表极强聚焦容错与剂量宽容，大幅提升阵列孔量产良率。
