陶氏正胶MEGAPOSIT_SPR_955-CM
SPR?955-CM 是陶氏经典 i-line 量产型光刻胶，主打 0.35μm 成熟制程，前后道通用、高反射基底友好，广泛用于逻辑 / 存储芯片、功率器件、MEMS 及大规模晶圆制造。
核心应用场景
1、0.35μm 节点大规模量产光刻（最核心）
专为 0.35μm 工艺规则 逻辑 / 存储芯片设计
覆盖 密集线 / 孤立线、接触孔、沟槽、通孔 全部图形 许总：15220133370
快感光、高产能、宽工艺窗口，适合大批量生产
2、前道 FEOL 关键层光刻
多晶硅栅极、源漏、浅沟槽、阱区注入
高反射基底（多晶硅、TiN、SiN）上表现优异
CD 均匀、轮廓垂直、稳定性极强
3、后道 BEOL 金属 / 介质层光刻
金属布线、接触孔、介质开槽、钝化开窗
高深宽比图形、台阶拓扑上工艺稳定
兼容氧化物、氮化物、金属层
4、高反射基底高精度图形
多晶硅、TiN、Al、Cu、SiN 等高反射表面
驻波抑制好、无缺口（notching）、线条直
可搭配有机 BARC 进一步提升精度
5、接触孔 / 通孔阵列光刻
0.35μm 级高密度接触孔、阵列孔
焦深大、孔型圆、无缩孔、无桥连
氧化层基底上表现最佳
6、功率器件 / 高压器件 / 分立器件
MOSFET、IGBT、二极管、整流器
终端结构、场环、深沟槽、大尺寸图形
耐热性好、耐蚀刻、良率高
7、存储芯片（DRAM / Flash / EEPROM）
阵列区、字线 / 位线、埋孔、接触孔
小尺寸图形、高一致性、批间稳定
适配 4M/16M 及以上存储量产
8、MEMS、传感器、光电器件
微结构、电极、引线、压感 / 传感区域
图形精度高、侧壁陡直、附着力强
一、产品概述
SPR?955-CM Series 是陶氏研发的i-line（365nm）正性光刻胶，专为0.35μm 设计规则的前后道制程打造，具备高产率、高分辨率、宽工艺窗口特性，适配多种高反射与介质基底。
二、核心优势
0.35μm 节点全覆盖：支持前后道关键图形加工
超快感光速度：显著提升产能
宽显影兼容性：支持 0.24N 与 0.26N TMAH 显影液
全图形适配：线 / 空间、接触孔、沟槽均可稳定成型
三、标准工艺条件
表格
分类 膜厚 软烘（SB） PEB 显影液
薄胶方案 0.70–1.20μm 90℃/90s 120℃/90s 0.26N（推荐）
厚胶方案 1.00–2.30μm 100℃/90s 110℃/90s 0.24N/0.26N
四、光刻性能
最佳分辨率：0.35μm（密集线 / 接触孔 / 沟槽）
感光能量：
0.25μm 线 / 空间（0.97μm 膜厚）：165 mJ/cm2
0.40μm 线 / 空间（1.40μm 膜厚）：245 mJ/cm2
适用图形：密集线 / 孤立线、接触孔、孤立沟槽、金属图形
兼容基底：硅、多晶硅、TiN、SiO?、SiN、有机 BARC
五、特殊工艺适配
高深宽比图形：TiN 等高反射基底适配性优异
高能离子注入：厚膜模式可作为注入掩膜
薄膜头结构：NiFe/LOL 结构可稳定图形化
4. 关键问题
问题：SPR?955-CM 的定位、适用节点与核心感光速度是多少？
答案：它是i-line 通用量产光刻胶，面向0.35μm节点；典型感光速度为165–245mJ/cm2。
问题：该胶分为哪两种工艺方案，对应的膜厚、SB 和 PEB 条件有何不同？
答案：分为薄胶（0.70–1.20μm）与厚胶（1.00–2.30μm）；薄胶 SB=90℃、PEB=120℃；厚胶 SB=100℃、PEB=110℃。
问题：SPR?955-CM 可加工哪些图形，适配哪些典型基底？
答案：可加工密集线、孤立线、接触孔、沟槽、金属图形；适配多晶硅、TiN、SiO?、SiN、硅片。
