陶氏i-line正胶DOW-MEGAPOSIT_SPR_660
SPR?660 是陶氏经典 i-line 量产型光刻胶，主打 0.35μm 成熟制程，支持线宽与接触孔图形，适配高反射基底与有机 BARC，广泛用于逻辑、功率、存储、MEMS 及封装领域。
核心应用场景
1、0.35μm 节点 i-line 量产光刻（最核心）
面向 0.35μm、0.4μm、0.5μm 成熟制程芯片 许总：15220133370
支持 密集线 / 间隔、孤立线、接触孔 全面图形化
工艺窗口宽、焦深大、良率稳定，适合大批量产
2、高反射基底光刻
硅、SiO?、TiN、多晶硅、金属等高反射表面
可选 低染料 / 中染料（L/M） 版本抑制驻波
搭配有机 BARC 可做到 ＜0.3μm 分辨率
3、逻辑 / 模拟 / 功率器件关键层光刻
栅极、源漏、接触孔、金属布线、通孔
CD 均匀性好、线条垂直、工艺宽容度高
适合高压器件、功率 IC、分立器件
4、存储芯片（EEPROM/Flash/OTP）
单元阵列、字线 / 位线、接触孔、埋孔
高一致性、低缺陷、稳定性强
5、MEMS 与传感器图形化
电极、引线、压模、微结构图形
附着力好、耐热性强、刻蚀掩膜适配
6、晶圆级封装 & 中后段制程
再布线层（RDL）、钝化开窗、金属 pad 开孔
兼容各种介质与金属基底
7、高校 / 研究所 / 中试线通用 i-line 光刻
工艺简单、显影友好（2.38% TMAH）
保质期 12 个月，存储方便
适配几乎所有 i-line 曝光机
一、产品概述
SPR?660 Series 是陶氏开发的i-line（365nm）正性光刻胶，专为0.35μm 及更大尺寸图形加工设计，适用于线 / 间距、接触孔等结构，覆盖 无染料、低染料（L）、中染料（M） 三种配方，适配高反射与普通基底。
二、核心光刻性能
表格
性能项目 指标
最高分辨率 抗反射层上：＜0.300μm；硅基底上：0.325μm
曝光能量 200 mJ/cm2（0.325μm 密集线 / 0.3μm 孤立线）
焦深（DoF） 0.4μm 线宽：1.5μm；0.4μm 接触孔：1.2μm
图形类型 密集线 / 间距、孤立线、接触孔
三、产品型号与版本
SPR660：无染料标准型
SPR660L：低染料型，适配高反射基底
SPR660M：中染料型，反射抑制更佳
四、标准工艺条件
表格
工艺步骤 薄胶（＜12000?） 厚胶（＞12000?）
软烘 90℃/90s（近接热板） 90℃/90s（近接热板）
PEB 110℃/90s（近接热板） 110℃/60s（近接热板）
显影 MF CD-26/26A，40s MF CD-26/26A，60s
五、兼容范围
基底：硅、SiO?、TiN、有机抗反射涂层
增粘处理：推荐HMDS真空预处理（120℃/30s）
显影液：0.24N / 0.26N TMAH体系（MF CD-26、MF-26A）
去胶：MICROPOSIT REMOVER 1165，80℃双槽去除
六、核心优势
宽工艺窗口：焦深大，量产稳定性高
多版本适配：无染料 / 低染料 / 中染料覆盖不同基底
高兼容性：适配绝大多数 i-line 光刻设备与显影体系
长保质期：常温密封可保存12 个月
4. 关键问题
问题：SPR660 系列的适用波长、目标制程节点与最高分辨率分别是多少？
答案：适用i-line（365nm）波长；目标0.35μm 及以上节点；抗反射层上分辨率可达 ＜0.300μm。
问题：SPR660 提供哪三种配方版本，区分它们的主要依据是什么？
答案：分为无染料 SPR660、低染料 SPR660L、中染料 SPR660M；主要依据染料含量区分，用于适配不同反射率的基底。
问题：SPR660 在薄胶与厚胶条件下，显影时间与 PEB 时间有何差异？
答案：薄胶（＜12000?）：PEB 90s、显影40s；厚胶（＞12000?）：PEB 60s、显影60s。
