罗门哈斯有机热交联型 DUV 底部抗反射涂层（BARC）AR2 与 AR3
AR2/AR3 是罗门哈斯专为 248nm DUV 光刻开发的有机热交联底部抗反射涂层，用于亚 180nm 逻辑 / 存储芯片、功率器件、MEMS 及复杂拓扑结构光刻，实现极致 CD 控制、陡峭侧壁与高工艺稳定性。
核心应用场景
1、248nm DUV 深紫外光刻（KrF）底层抗反射 许总：15220133370
专为 248nm 光刻胶配套，抑制基底反射、消除驻波效应
满足 180nm–250nm 关键尺寸（CD）高精度制程要求
2、高反射基底光刻制程
硅、多晶硅、氮化硅、TiN、铝等高反射金属 / 介质层
大幅降低反射干扰，保证线宽均匀、图形无畸变
3、复杂拓扑结构（台阶 / 沟槽）光刻
台阶覆盖与保形性优异，适配高低差大的非平面晶圆
全片 CD 均匀，无缩腰、无底切、侧壁陡峭
4、逻辑芯片、模拟 / 混合信号 IC 制造
栅极、接触孔、金属互连线、电容等关键层光刻
宽工艺窗口，良率高、稳定性强
5、存储芯片（Flash/EEPROM/SRAM）制程
单元阵列、位线 / 字线、接触孔、埋层等精细图形
抑制反射干扰，提升阵列一致性与良率
6、化合物半导体 / 功率器件光刻
GaAs、GaN、SiC 等器件的光刻与图形转移
兼容多种特殊基底，化学阻隔性好、无污染
7、MEMS 与微结构器件光刻
高深宽比结构、悬臂、沟槽、腔体等图形制备
保形涂覆、不破坏微结构，图形轮廓规整
8、中后段金属 / 介质层光刻
金属布线、介质开孔、钝化层开窗
抗反射 + 化学阻隔双重作用，保护下层结构
关键工艺价值
DUV 专用：248nm 高光学密度，摇摆曲线 ≤3%，CD 控制极稳
热交联稳定：195–220℃ 固化，不互溶、不污染光刻胶
化学阻挡层：隔离光刻胶与基底，避免相互干扰
蚀刻快、易去除：RIE 速率高，灰化 / 湿法均可剥离
兼容广：适配 Si、SiO?、Si?N?、TiN、Al 等几乎所有半导体基底
一、产品概述
AR2 与 AR3 是有机热交联型 DUV 底部抗反射涂层，用于 DUV 光刻胶下方抑制反射，提升CD 均匀性与图形轮廓，适配亚 180nm设计规则，同时作为光刻胶与基底间的化学阻挡层。
二、产品型号与厚度规格
表格
型号 适用厚度 适用场景
AR2-600 / AR3-600 550–750 ? 高反射基底
AR2-900 / AR3-900 800–1200 ? 厚介质层基底
三、核心光学与性能参数
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项目 AR2 AR3
248nm 光学密度 9.0 / μm 9.6 / μm
248nm 折射率 n 1.47 1.46
248nm 消光系数 k 0.47 0.42
E?摇摆曲线 ≤3% ≤3%
运动粘度（600 型） 2.5 cSt 2.5 cSt
运动粘度（900 型） 2.9 cSt 2.9 cSt
四、工艺要求
涂覆工艺
兼容 PGME、PGMEA、环己酮等常规旋涂与 EBR 溶剂
旋杯温度 <23℃，相对湿度<47%
禁止使用 HMDS等增粘剂
固化工艺
推荐条件：195–220℃ / 60 秒，近接式热板
提高固化温度减少线宽收缩；降低固化温度减少底切
蚀刻与去除
蚀刻速率快于 BARL/CD-11，AR3 比 AR2 慢 5–10%
可通过等离子灰化或H?SO?/H?O?体系去除
五、兼容基底
Si、SiO?、多晶硅、Si?N?、TiN、铝（Al）
六、核心优势
248nm 高光学密度，抗反射能力强
摇摆曲线≤3%，CD 控制精度高
台阶覆盖与保形性优异
与 DUV 光刻胶匹配，形成陡峭侧壁
工艺窗口宽，适配复杂拓扑结构
七、设备更换要求
从 BARL/CD-11 切换时，先用环己酮 /γ- 丁内酯清洗管路，再用 PGME/AR2/AR3 置换。
4. 关键问题
问题：AR2/AR3 的目标光刻节点与工作波长分别是什么？
答案：目标为亚 180nm光刻节点，工作波长为248nm深紫外。
问题：AR2 与 AR3 在 248nm 的光学常数（n/k）和光学密度分别是多少？
答案：AR2：n=1.47、k=0.47、光学密度9.0/μm；AR3：n=1.46、k=0.42、光学密度9.6/μm。
问题：AR2/AR3 的推荐固化条件是什么，涂覆时需控制哪些环境参数？
答案：推荐195–220℃/60 秒近接式热板固化；涂覆时旋杯温度需 <23℃、相对湿度<47%，且禁止使用 HMDS 增粘剂。
