最高浓度磷掺杂硅酸盐旋涂玻璃液态源（Spin-on-Glass P-280）
最高浓度磷掺杂旋涂玻璃液态源，专为半导体、功率器件、光伏、MEMS 提供超高剂量 N 型磷扩散掺杂，可替代 POCl?，同时吸附可动离子提升可靠性，是高浓度、低温、安全、均匀的重掺杂解决方案。
核心应用场景
1、半导体硅基 N 型重掺杂 / 高剂量扩散
用于源漏极重掺杂、N+ 阱、深埋层、发射区 许总：15220133370
实现极低方块电阻，满足高导电、高载流子浓度需求
2、功率器件制造（MOSFET / IGBT / FRD / LDMOS）
制作场限环、终端扩展、JFET 通道、欧姆接触层
提升耐压、降低导通电阻、改善高温稳定性
3、先进集成电路（IC）前后道工艺
超浅结 / 深结高浓度掺杂
替代传统 POCl? 扩散，更均匀、无腐蚀、无危险尾气
4、光伏晶硅电池（N 型高效电池）
硅片背面高浓度磷掺杂层
提升开路电压、降低串联电阻、提高转换效率
5、化合物半导体器件（GaAs、GaN、SiC 配套工艺）
用于欧姆电极、缓冲层、异质结掺杂
适配高温、高频、大功率器件制程
6、离子捕获与器件可靠性提升（关键独有功能）
磷作为 Na?、K? 等可动离子捕获剂（getter）
大幅降低离子污染，避免器件漏电、漂移、失效
7、MEMS、传感器、光电二极管、探测器
高均匀重掺杂，保证灵敏度、一致性、长期稳定性
兼顾掺杂 + 表面钝化双重作用
8、低温敏感器件工艺
150–200℃ 即可固化成膜，不损伤热敏材料、柔性基底
一、产品基本信息
产品全称：Spin-on-Glass P-280
产品类型：最高浓度磷掺杂硅酸盐旋涂玻璃液态源
生产厂商：Desert Silicon, Inc.
二、核心成分与关键参数
表格
项目 关键信息
目标元素 Si、O、P
磷原子浓度 1.9×1022 atoms/cm3
薄膜核心元素 磷（Phosphorus）
粘度 1.3 cps
旋涂成膜厚度 2200 ?（3000 rpm）
固化温度 150–200℃ 起始，300–650℃及以上致密
保质期 20℃：3 个月；4℃：9 个月
纯度 高纯度，支持高纯版本
三、产品优势
最高浓度磷掺杂，满足半导体极致高剂量掺杂需求
无需 POCl?，运输与使用安全简便
维护与使用成本更低
高纯度材料，杂质控制严格
薄膜涂覆均匀，一致性优异
熔点低于纯氧化硅，工艺兼容性更好
工艺稳定，不受流量影响
磷可吸附钠与其他移动离子，提升器件可靠性
四、典型应用
应用领域：半导体高剂量磷掺杂工艺
工艺特性：150–200℃固化形成低密度固态薄膜；升温至300–650℃以上膜层持续致密；建议按后续工艺最高温度烘烤
处理方式：掺杂完成后玻璃层可去除
五、包装、替代与可添加元素
包装规格：240ml（8oz）、500ml（16oz），支持大包装定制
替代产品：P-240、P-250、P-260、P-640
可添加元素：As、Sb，支持多元素复配与化合物半导体专用配方
六、免责与安全提示
文档信息不提供任何明示或暗示担保
用户需自行验证产品适用性并承担使用风险
健康与安全信息请查阅MSDS文件
4. 关键问题
问题：P-280 的核心定位、磷掺杂浓度与成膜厚度分别是多少？
答案：定位为系列中最高浓度磷掺杂旋涂玻璃；磷浓度1.9×1022 atoms/cm3；3000rpm旋涂形成2200?薄膜。
问题：P-280 的固化温度区间与核心功能有哪些？
答案：150–200℃起始固化，300–650℃及以上致密化；核心功能为超高浓度磷掺杂与吸附钠等有害移动离子。
问题：P-280 的工艺优势、包装规格与可替代产品是什么？
答案：优势为无 POCl?风险、低成本、高纯度、工艺稳定；包装240ml、500ml及大包装；替代产品P-240、P-250、P-260、P-640。
