NR9-3000P干湿蚀刻负胶
NR9-3000P 是适用于 365nm 紫外曝光的中薄层负性光刻胶，可实现 2.14–6.3μm 膜厚图形化，具备高分辨率、快感光、快显影、耐高温（100℃）、在电镀与湿法刻蚀环境中附着力优异等特点，可在室温下使用 RR5 轻松去除，且室温保质期长达 3 年。该光刻胶广泛应用于 SiC/GaN 功率器件、金属电镀、湿法刻蚀、MEMS、传感器、光电器件、玻璃 / 陶瓷基底加工 等领域，尤其适合需要高附着力、中薄层精细图形与湿法工艺兼容的光刻场景。
它是电镀、湿法刻蚀、中薄层精细光刻的专用胶。
一、核心应用场景
1. 金属电镀工艺（最匹配、最强项） 许总：15220133370
铜、镍、金、银等电化学电镀掩模
功率器件、传感器、MEMS 厚金属电极电镀
湿法刻蚀环境下不脱膜、不翘边、不底切
2. SiC / GaN 第三代半导体器件
4H?SiC、GaN 器件源漏电极、栅电极、场板、欧姆接触
终端结构、浅台面、微细图形光刻
适配后续湿法刻蚀、剥离、电镀等多流程
3. 湿法刻蚀掩模
硅、金属、介质的湿法腐蚀保护掩模
酸性 / 碱性腐蚀液中附着力稳定
图形保真度高、不脱落、不变形
4. 微细金属剥离（lift-off）
中厚层 Ti/Au、Ni/Au、Al 电极剥离
探针台电极、互连线、大功率器件电极
高附着、高均匀、无残胶
5. MEMS、传感器、光电器件
压电、惯性、声学、压力传感器微细加工
微悬臂梁、微桥、光波导、反射镜结构
中薄层、高精度、耐高温 100℃
6. 玻璃 / 陶瓷 / 低热导基板光刻
玻璃、陶瓷封装基板、光电器件基底
玻璃基板工艺：烘烤时间 ×3.5
涂覆均匀、无条纹、图形稳定
7. 通用中薄层精细光刻
线宽 1–2μm 级高精度图形
保护层、隔离层、阻挡层图形化
实验室 / 产线通用、稳定性极强
二、最适合使用 NR9-3000P 的情况
需要 2–6μm 中薄层光刻
工艺涉及 电镀 或 湿法刻蚀（最关键）
要求附着力极强、不脱膜、不翘边
工艺温度最高 100℃
希望室温即可去胶、不伤基底
365nm 光刻机通用
要求快显影、高产能、高稳定性
一、产品定位与描述
NR9-3000P 是面向中薄层图形化的负性光刻胶，专为365nm紫外曝光系统设计，兼容步进机、扫描投影光刻机、接近式 / 接触式光刻机。
配方与工艺兼顾职业安全与环保
主溶剂：环己酮（cyclohexanone）
显影体系：碱性水溶液（RD6）
二、核心优势
分辨率优异，可加工精细图形
感光与显影速度快，制程效率高
耐高温性强，可承受 100℃ 工艺温度
电镀与湿法刻蚀附着力优异，不易脱落
去胶便捷，RR5 室温即可去除
超长保质期，25℃室温可存放 3 年
三、关键理化参数
外观：浅黄色液体
固含量：31%–35%
涂覆性：非常均匀、无条纹
感光度（365nm）：21mJ/cm2·μm
保质期：25℃室温存储 3 年
四、膜厚与旋涂参数（150℃软烘 60s 后）
表格
旋涂转速 (rpm) 旋涂时间 (s) 膜厚范围 (nm)
800 40 5700–6300
3000 40 2850–3150
4000 40 2460–2720
5000 40 2140–2326
五、标准工艺流程
旋涂涂胶：目标转速旋涂40s
除边珠：使用EBR2处理晶圆边缘
软烘：150℃热板烘烤 60s
365nm 紫外曝光
曝光后烘烤：100℃热板烘烤 60s
显影：RD6 显影液喷淋 / 浸泡；3μm 膜厚显影约 17s
冲洗：去离子水冲洗至电阻率达标
干燥
去胶：RR5 去胶剂（室温）
六、基板适配要求
良导热基板（硅、GaAs）：按标准参数执行
低热导基板（玻璃）：烘烤时间延长 3.5 倍
七、操作安全规范
本品为易燃液体，远离热源、火花、明火
操作环境需充分通风
禁止吞食，避免接触皮肤、蒸气、雾滴
佩戴化学护目镜、橡胶手套及防护衣
4. 关键问题与答案
NR9-3000P 最适合电镀 / 湿法刻蚀的核心原因是什么？
答：因为它具备优异的电镀与湿法刻蚀附着力，在金属电镀和湿法刻蚀环境中不易脱落、翘边，图形保持完整。
NR9-3000P 的去胶条件与同系列产品有何不同？
答：NR9-3000P 可使用RR5 去胶剂在室温下去除，无需加热，工艺更温和、对基底更友好。
NR9-3000P 的膜厚范围、典型显影时间与烘烤要求是什么？
答：膜厚范围2140–6300nm；3μm 膜厚显影时间约17s；软烘150℃/60s、曝光后烘100℃/60s，玻璃基板烘烤时间需 ×3.5。
