NR9-1500P蒸镀剥离负胶

它是薄层精细光刻、金属剥离、浅刻蚀的通用型光刻胶。

NR9-1500P 是适用于 365nm 紫外曝光的薄层负性光刻胶，可实现 1.14–3.15μm 薄膜图形化，具备高分辨率、高感光度、快显影、优异附着力、耐高温（100℃）、易去除等特点，且在室温下保质期长达 3 年。该光刻胶广泛应用于 SiC/GaN 功率器件、微细金属剥离、MEMS、传感器、光电器件 等领域，适合薄层精细光刻、浅刻蚀掩模与微细电极图形化加工。

一、核心应用场景

1. SiC / GaN 第三代半导体功率器件

4H?SiC 终端结构：JTE、场限环、RESURF、浅台面                许总：15220133370

SiC / GaN 栅电极、源漏电极、欧姆接触区光刻

微细注入掩模、保护层、表面微细图形

2. 微细金属剥离（lift-off）工艺

Ti/Au、Ni/Au、Al、Pt 等薄层金属剥离

探针电极、互连线、微细栅线、微型器件电极

附着力强、不脱膜、剥离干净无毛刺

3. 薄层干法 / 湿法刻蚀掩模

硅、SiC、GaN、玻璃浅槽、浅台面刻蚀

表面微结构、微细图形刻蚀掩模

均匀性好、图形保真度高

4. MEMS、传感器、光电器件

微型传感器、压电 / 声学器件、表面微机械

微细悬臂梁、微桥、反射镜、光波导

高精度、薄层、稳定可靠

5. 通用半导体微细图形工艺

线宽 1–2μm 级精细图形加工

薄层介质光刻、保护层图形、隔离层加工

实验室与产线通用、稳定性强

6. 玻璃 / 陶瓷 / 低热导基板光刻

玻璃、陶瓷基底薄层图形化

光电器件、封装基板、传感器芯片

二、最适合使用 NR9-1500P 的情况

需要 1–3μm 薄层光刻

要求高分辨率、精细线条

强调极强附着力、不脱膜

工艺温度最高 100℃

希望室温存放、保质期 3 年

只有 365nm 光刻机

用于剥离、刻蚀、保护层均可

一、产品概述

NR9-1500P 是适用于365nm波长曝光的负性光刻胶，兼容步进机、扫描投影光刻机、接近式与接触式光刻机。配方与工艺兼顾职业与环境安全，主溶剂为环己酮，显影采用碱性水溶液。

二、核心优势

分辨率优异，满足精细图形加工需求

感光速度快，提升曝光效率

显影速度快，优化制程效率

耐高温性好，可承受 100℃ 工艺温度

基底附着力优异，不易脱落

去胶便捷，可使用 RR4 去胶剂去除

超长保质期，25℃室温可存放 3 年

三、关键理化参数

外观：浅黄色液体

固含量：24%–28%

主溶剂：环己酮（cyclohexanone）

涂覆性：非常均匀、无条纹

感光度（365nm）：21mJ/cm2·μm

保质期：25℃室温存储 3 年

四、膜厚与旋涂参数（150℃软烘 60s 后）

表格

旋涂转速 (rpm) 旋涂时间 (s) 膜厚范围 (nm)

800 40 2850–3150

1000 40 2565–2835

2000 40 1805–1995

3000 40 1425–1575

4000 40 1235–1365

5000 40 1140–1260

五、安全注意事项

本品为易燃液体，需远离热源、火花与明火...