NR9-1000PY 蒸镀负胶

它是金属剥离工艺的专用胶

NR9-1000PY 是适用于 365nm 紫外曝光的薄层负性光刻胶，专为金属剥离（lift-off）工艺设计，显影后可形成负倾斜侧壁，且底切程度可通过曝光剂量灵活调节，具备高分辨率、快显影、耐高温（100℃）、易去除等特点，室温下保质期长达 3 年。该光刻胶广泛应用于 SiC/GaN 功率器件、微细电极、MEMS、传感器、光电器件 等领域，尤其适合需要高精度金属剥离、无毛刺图形制备的微细加工场景。

一、核心应用场景

1. 金属剥离工艺（最核心、最匹配）

薄层金属电极：Ti/Au、Ni/Au、Al、Pt、Pd 等剥离图形化           许总：15220133370

微细电极、探针电极、互连线、栅电极、欧姆接触电极

要求无毛刺、无粘连、边缘干净的金属图形

2. SiC / GaN 第三代半导体器件

4H?SiC、GaN 器件欧姆接触、栅电极、源漏微细电极

功率器件、MESFET、HEMT 等微细电极剥离

高精度、小尺寸电极图形加工

3. 超精细半导体与微细图形工艺

线宽 1μm 左右的微细电极、接触孔、引线

硅基器件、光电二极管、探测器电极

要求侧壁可控、剥离顺畅的场景

4. MEMS、传感器、光电器件

微型传感器、压电 / 声表面波器件微细电极剥离

微桥、悬臂梁、表面微结构金属图形化

均匀性好、无残胶、不损伤结构

5. 实验室通用微细金属工艺

科研样品快速、稳定剥离

底切（undercut）可通过曝光量自由调节

室温保存 3 年，使用方便、无需冷藏

二、最适合使用 NR9-1000PY 的情况

做 金属剥离 lift-off

需要 负倾斜侧壁、底切可调

膜厚 0.7–2.1μm 薄层

要求 剥离干净、无毛刺、无粘连

希望 室温存放、保质期 3 年

只有 365nm 光刻机

显影快、去胶容易

一、产品定位与描述

NR9-1000PY 是面向薄层图形化、专为剥离工艺（lift-off）设计的负性光刻胶，适配365nm紫外曝光设备（步进机、投影光刻机、接近 / 接触式光刻机）。

显影后形成负倾斜侧壁，完美支撑金属剥离

配方与工艺兼顾职业安全与环保

主溶剂：环己酮

显影体系：碱性水溶液（RD6）

二、核心优势

显影后负倾斜侧壁，金属剥离更干净、无毛刺

底切程度可调，可通过曝光能量灵活控制 undercut

分辨率优异，满足精细图形加工

显影速度快，1μm 膜厚仅需10s

耐高温，可承受 100℃ 工艺温度

去胶便捷，可用 RR4（110℃）或丙酮去除

超长保质期，25℃室温可存放 3 年

三、关键理化参数

外观：浅黄色液体

固含量：19%–23%

主溶剂：环己酮（cyclohexanone）

涂覆性：非常均匀、无条纹

感光度（365nm）：390mJ/cm2（1μm 厚膜）

保质期：25℃室温存储 3 年

四、膜厚与旋涂参数

| 旋涂转速 (rpm) | 旋涂时间 (s)...