NR9-250P高精度负胶
它专门用于超精细、超薄、高精度的半导体与微纳加工。
NR9-250P 是适用于 366nm 紫外曝光的超高分辨率超薄层负性光刻胶，可实现 220–600nm 超薄膜图形化，具备 ＜0.5μm 超高分辨率、高感光度、优异附着力、易去除 等特点，且在室温下保质期长达 3 年。该光刻胶广泛应用于 SiC/GaN 功率器件、超精细半导体工艺、MEMS、传感器、光电器件 等领域，尤其适合超薄层、超精细线宽、高精度图形的光刻加工。
一、核心应用场景
1. 超精细半导体器件光刻（最匹配）
线宽 / 间距＜0.5μm 的超精细图形加工
硅、SiC、GaN 器件栅极光刻、微细电极、微细接触孔 许总：15220133370
超窄条、超细线条、高精度对准结构
2. SiC / GaN 第三代半导体超精细工艺
4H?SiC、GaN 器件超细栅条、微细源漏、欧姆接触区
超精细注入掩模、微细台面、微细终端结构
要求超薄掩模、超高精度、强附着
3. 超薄层刻蚀 / 剥离掩模
超薄金属（Ti/Au、Ni/Au、Pt、Al）剥离工艺
超薄介质、表层浅刻蚀掩模
膜厚仅 200–600nm，不影响浅结构形貌
4. MEMS / 传感器超精细结构
微型传感器、压电器件、声学器件超细图形
表面微机械、微细悬臂梁根部、超细电极
高精度、小尺寸、超薄层结构
5. 光电器件与微细电极
光电探测器、LED、激光器超细电极 / 光栅
微细探针、互连线、微型器件电极
要求高分辨率、高均匀、无条纹
6. 实验室高精度科研工艺
科研样品超精细图形验证
室温长期保存，无需冷藏，使用方便
366nm 通用曝光设备兼容
二、最适合使用 NR9-250P 的情况
需要 ＜0.5μm 超高分辨率
膜厚仅需200–600nm 超薄层
要求附着力极强、不脱膜
希望室温存放、保质期 3 年
只有 366/365nm 光刻机
最终需要易去胶、无残胶
一、产品定位与描述
NR9-250P 是专用于超精细、超薄层图形化的负性光刻胶，适配366nm波长曝光设备（步进机、扫描投影光刻机、接近式 / 接触式光刻机）。配方与工艺兼顾职业与环境安全，主溶剂为环己酮，显影采用碱性水溶液。
二、核心优势
超高分辨率：可实现 ＜0.5μm 精细图形加工
显影速度快，提升制程效率
感光速度快，曝光效率高
附着力优异，贴合牢固不易脱落
去胶便捷，可使用 RR4 去胶剂轻松去除
超长保质期：25℃室温可存放 3 年
三、关键理化参数
外观：浅黄色液体
固含量：9%–12%
主溶剂：环己酮（cyclohexanone）
涂覆性：非常均匀、无条纹
感光度（365nm）：21mJ/cm2（1μm 厚膜）
保质期：25℃室温存储 3 年
四、膜厚与旋涂参数
表格
旋涂转速 (rpm) 旋涂时间 (s) 150℃软烘 60s 后膜厚 (nm)
800 40 400–600
3000 40 220–280
五、工艺与安全要点
软烘条件：150℃热板烘烤 60s
显影体系：碱性水溶液
安全属性：易燃液体，需远离热源、明火，做好防护
4. 关键问题与答案
NR9-250P 最核心的性能优势是什么？
答：最核心优势是 ＜0.5μm 的超高分辨率 ，专为超精细图形光刻设计，同时具备室温 3 年超长保质期。
NR9-250P 的膜厚范围是多少？通过什么参数调控？
答：膜厚范围为220–600nm，通过调整旋涂转速实现厚度控制，800rpm 约 400–600nm，3000rpm 约 220–280nm...
