Mg-210P是 Desert Silicon 公司推出的镁掺杂硅酸盐旋涂玻璃液态源，核心含Si、Mg、O，镁原子浓度为 4×1021 atoms/cm3，3000rpm旋涂可形成2100?厚薄膜，20℃保质期 3 个月、4℃9 个月，纯度可达 <1ppm 或 < 50ppb，可实现5×101?~5×101?的最终镁掺杂浓度，用于半导体掺杂，能消除浓度梯度并抑制镁元素流失，具备成膜均匀、高纯度等优势。

一、产品基本信息

• 产品全称：Spin-on-Glass Mg-210P
• 产品类型：镁掺杂硅酸盐旋涂玻璃液态源
• 生产厂商：Desert Silicon, Inc.

二、核心成分与关键参数

表格

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项目

关键信息

目标元素

Si、Mg、O

镁原子浓度

4×1021 atoms/cm3

薄膜核心元素

镁（Mg）

粘度

0.9 cps

折射率

1.44

旋涂成膜厚度

2100 ?（3000 rpm）

保质期

20℃：3 个月；4℃：9 个月

纯度等级

<1 ppm 或 <50 ppb

最终目标掺杂浓度

5×101? ~ 5×101? atoms/cm3

三、产品优势

1. 可实现5×101?~5×101? atoms/cm3的最终镁掺杂浓度
2. 薄膜涂覆均匀，一致性良好
3. 采用高纯度原材料，杂质控制严格
4. 可提供 <1 ppm 或 <50 ppb 超高纯度规格
5. 有效消除掺杂浓度梯度
6. 抑制镁元素通过表面层流失

四、典型应用

• 应用领域：半导体镁掺杂工艺
• 工艺特性：源浓度高，可在基底表面形成高浓度掺杂层，推入扩散后进入基底内部
• 核心作用：消除浓度梯度，防止镁元素从表面流失

五、包装、替代与可添加元素

• 包装规格：240ml、500ml、1L、2.5L、4L
• 替代产品：Mg-210N，支持其他目标浓度定制
• 可添加元素：As、Sb、Bi，提供化合物半导体专用元素

六、免责与安全提示

• 文档信息不提供任何明示或暗示担保
• 用户需自行验证产品适用性并承担使用风险
• 健康与安全信息请查阅MSDS文件

4. 关键问题

1. 问题：Mg-210P 的核心掺杂元素、浓度与成膜参数是什么？

答案：核心掺杂元素为镁（Mg），浓度4×1021 atoms/cm3；3000rpm旋涂可形成2100?厚薄膜，折射率1.44，粘度0.9cps。

2. 问题：Mg-210P 的最终掺杂浓度范围与核心功能是什么？

答案：可实现5×101? ~ 5×101? atoms/cm3的最终镁掺杂浓度；核心功能是消除浓度梯度并抑制镁元素表面流失。

3. 问题：Mg-210P 的纯度规格、保质期与可兼容元素有哪些？

答案：纯度可达 <1ppm 或 < 50ppb；20℃保质期3 个月，4℃9 个月；可添加As、Sb、Bi等元素，支持化合物半导体掺杂。