In-345是 Desert Silicon 公司推出的铟掺杂硅酸盐旋涂玻璃液态源，核心含In、Si、O，铟原子浓度达 4×1021 atoms/cm3，具备业界最高铟掺杂剖面，3000rpm旋涂成膜厚度1500?、折射率1.50、粘度0.9cps，20℃保质期 3 个月、4℃9 个月，200℃起始固化、350℃以上致密强化，纯度可达<1ppm 或 < 50ppb，主要用于半导体高浓度表面掺杂，可定制浓度、工艺稳定且维护成本低。
一、产品基本信息
- 产品全称：Spin-on-Glass In-345
- 产品类型：铟掺杂硅酸盐旋涂玻璃液态源
- 生产厂商：Desert Silicon, Inc.
二、核心成分与关键参数
表格
项目
关键信息
目标元素
In、Si、O
铟原子浓度
4×1021 atoms/cm3
薄膜核心元素
铟（In）
粘度
0.9 cps
折射率
1.50
旋涂成膜厚度
1500 ?（3000
rpm）
固化起始温度
200℃
致密化温度
350℃及以上
保质期
20℃：3 个月；4℃：9 个月
纯度等级
<1 ppm 或
<50 ppb
三、产品优势
- 提供业界最高铟掺杂剖面
- 成膜均匀，覆盖一致性好
- 采用高纯度原料，杂质控制严格
- 维护与使用成本更低
- 工艺稳定，不受流量影响
- 支持定制目标浓度
- 可提供 <1 ppm 或 <50 ppb 超高纯度规格
四、典型应用
- 应用领域：半导体高浓度表面掺杂
- 工艺特性：200℃开始固化形成低密度固态薄膜；烘烤至350℃以上，薄膜密度持续提升；建议按后续工艺最高温度烘烤；掺杂完成后玻璃层可去除
- 掺杂特点：源浓度高，可在基底表面形成高浓度掺杂层，推入后扩散至基底内部，匹配最终目标掺杂浓度
五、包装、替代与可添加元素
- 包装规格：240ml、500ml、1L、2.5L、4L
- 替代方案：支持其他目标浓度定制
- 可添加元素：As、Sb、Ga、Al、Sn，提供化合物半导体专用元素
六、免责与安全提示
- 文档信息不提供任何明示或暗示担保
- 用户需自行验证产品适用性并承担使用风险
- 健康与安全信息请查阅MSDS文件
4. 关键问题
- 问题：In-345 的核心掺杂元素、浓度与成膜关键参数是什么？
答案：核心掺杂元素为铟（In），浓度4×1021 atoms/cm3；3000rpm旋涂成膜1500?，折射率1.50，粘度0.9cps。
- 问题：In-345 的固化温度区间、核心优势与应用特点是什么？
答案：200℃起始固化，350℃以上致密；核心优势是最高铟掺杂剖面、可定制浓度、低成本、工艺稳定；用于半导体表面高浓度掺杂，掺杂后玻璃可去除。
- 问题：In-345 的保质期、纯度等级与可兼容掺杂元素有哪些？
答案：20℃保质期3
个月，4℃9 个月；纯度
<1ppm 或 < 50ppb；可添加As、Sb、Ga、Al、Sn等元素，支持化合物半导体掺杂。
